AP9972AGR-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9972AGR-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для AP9972AGR-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9972AGR-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap9972agr-hf.pdf pdf_icon

AP9972AGR-HF

AP9972AGR-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 6.1. Size:154K  ape
 ap9972agp.pdf pdf_icon

AP9972AGR-HF

AP9972AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9972A series are from Advanced Power innovated desi

 6.2. Size:95K  ape
 ap9972agi.pdf pdf_icon

AP9972AGR-HF

AP9972AGI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 32A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, G low on-resistance and

 6.3. Size:95K  ape
 ap9972agp-hf.pdf pdf_icon

AP9972AGR-HF

AP9972AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9971GH, AP9971GI-HF, AP9971GJ, AP9971GM-HF, AP9971GP-HF, AP9971GS-HF, AP9972AGI, AP9972AGP-HF, IRLB3034, AP9972GH-HF, AP9972GI-HF, AP9972GP-HF, AP9972GR, AP9972GS-HF, AP9973GD, AP9973GH-HF, AP9973GI