AP9973GH-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9973GH-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9973GH-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9973GH-HF даташит

 ..1. Size:98K  ape
 ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdf pdf_icon

AP9973GH-HF

AP9973GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-252(H)

 6.1. Size:235K  ape
 ap9973gh.pdf pdf_icon

AP9973GH-HF

AP9973GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9973 series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible

 7.1. Size:60K  ape
 ap9973gd.pdf pdf_icon

AP9973GH-HF

AP9973GD Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 Low Gate Charge BVDSS 60V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80m D1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS Compliant G2 S2 PDIP-8 G1 S1 Description D2 D1 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ru

 7.2. Size:62K  ape
 ap9973gp ap9973gs.pdf pdf_icon

AP9973GH-HF

AP9973GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-263(S) ruggedized device design, low o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9972AGP-HF, AP9972AGR-HF, AP9972GH-HF, AP9972GI-HF, AP9972GP-HF, AP9972GR, AP9972GS-HF, AP9973GD, MMIS60R580P, AP9973GI, AP9973GJ-HF, AP9973GM, AP9973GP, AP9973GS, AP9974AGH-HF, AP9974AGP-HF, AP9974AGS-HF