Справочник MOSFET. AP9973GJ-HF

 

AP9973GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9973GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9973GJ-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdfpdf_icon

AP9973GJ-HF

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)

 6.1. Size:199K  ape
ap9973gj.pdfpdf_icon

AP9973GJ-HF

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9973 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible

 6.2. Size:822K  cn vbsemi
ap9973gj.pdfpdf_icon

AP9973GJ-HF

AP9973GJwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = 10 V35d TrenchFET Power MOSFET60 21.70.037 at VGS = 4.5 V30d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power SupplyDTO-251- Secondar

 7.1. Size:60K  ape
ap9973gd.pdfpdf_icon

AP9973GJ-HF

AP9973GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS 60VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80mD1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS CompliantG2S2PDIP-8G1S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ru

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXTP130N10T | DG840 | KNB1906A | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | IRLU3715 | ST2305

 

 
Back to Top

 


 
.