Справочник MOSFET. AP9973GM

 

AP9973GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9973GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9973GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  ape
ap9973gm.pdfpdf_icon

AP9973GM

AP9973GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 80mD1D1 Surface Mount Package ID 3.9AG2 RoHS CompliantS2G1SO-8 S1DescriptionD2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1designer with the best combination of fast switchi

 7.1. Size:60K  ape
ap9973gd.pdfpdf_icon

AP9973GM

AP9973GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS 60VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80mD1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS CompliantG2S2PDIP-8G1S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ru

 7.2. Size:62K  ape
ap9973gp ap9973gs.pdfpdf_icon

AP9973GM

AP9973GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DSTO-263(S)ruggedized device design, low o

 7.3. Size:98K  ape
ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdfpdf_icon

AP9973GM

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AON6516 | SSF9N90ZH | TK07H90A | BLF6G20S-45 | PMN16XNE | IRF9630 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.