AP9973GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9973GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9973GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9973GM даташит

 ..1. Size:62K  ape
 ap9973gm.pdf pdf_icon

AP9973GM

AP9973GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D2 D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 80m D1 D1 Surface Mount Package ID 3.9A G2 RoHS Compliant S2 G1 SO-8 S1 Description D2 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 designer with the best combination of fast switchi

 7.1. Size:60K  ape
 ap9973gd.pdf pdf_icon

AP9973GM

AP9973GD Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 Low Gate Charge BVDSS 60V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80m D1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS Compliant G2 S2 PDIP-8 G1 S1 Description D2 D1 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ru

 7.2. Size:62K  ape
 ap9973gp ap9973gs.pdf pdf_icon

AP9973GM

AP9973GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-263(S) ruggedized device design, low o

 7.3. Size:98K  ape
 ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdf pdf_icon

AP9973GM

AP9973GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-252(H)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9972GI-HF, AP9972GP-HF, AP9972GR, AP9972GS-HF, AP9973GD, AP9973GH-HF, AP9973GI, AP9973GJ-HF, 60N06, AP9973GP, AP9973GS, AP9974AGH-HF, AP9974AGP-HF, AP9974AGS-HF, AP9974BGP, AP9974GH-HF, AP9974GJ-HF