AP9980GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9980GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9980GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9980GH даташит

 ..1. Size:174K  ape
 ap9980gh.pdf pdf_icon

AP9980GH

AP9980GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80V D Single Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3A G S Description G D S Advanced Power MOSFETs from APEC provide the TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, lo

 0.1. Size:233K  ape
 ap9980gh-hf.pdf pdf_icon

AP9980GH

AP9980GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9980 series are from Advanced Power innovated design and G D S silicon process technology to achieve the lowe

 0.2. Size:100K  ape
 ap9980gh-hf ap9980gj-hf.pdf pdf_icon

AP9980GH

AP9980GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Single Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-

 7.1. Size:218K  ape
 ap9980gj.pdf pdf_icon

AP9980GH

AP9980GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80V D Single Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3A G S Description G D S Advanced Power MOSFETs from APEC provide the TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9977AGM, AP9977GH-HF, AP9977GJ-HF, AP9977GM, AP9978AGP-HF, AP9978GP, AP9979GH-HF, AP9979GJ, 10N60, AP9980GJ, AP9980GM, AP9985GM, AP9987GH-HF, AP9987GJ-HF, AP9987GM, AP9990GH-HF, AP9990GIF-HF