Справочник MOSFET. FRL430H

 

FRL430H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRL430H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO205AF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRL430H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:53K  intersil
 frl430.pdf pdf_icon

FRL430H

FRL430D, FRL430R,FRL430H2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 2A, 500V, RDS(on) = 2.50TO-205AF Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRL230D , FRL230H , FRL230R , FRL230R4 , FRL234D , FRL234H , FRL234R , FRL430D , IRF1405 , FRL430R , FRL9130D , FRL9130H , FRL9130R , FRL9230D , FRL9230H , FRL9230R , FRM130D .

History: ELM16401EA | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.