Справочник MOSFET. AP9980GM

 

AP9980GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9980GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9980GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9980GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ape
 ap9980gm.pdf pdf_icon

AP9980GM

AP9980GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 52mD1D1 Surface Mount Package ID 4.6AG2S2G1S1SO-8DescriptionD2Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1designer with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 0.1. Size:97K  ape
 ap9980gm-hf.pdf pdf_icon

AP9980GM

AP9980GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80VD2D2D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 52mD1 Surface Mount Package ID 4.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fa

 7.1. Size:233K  ape
 ap9980gh-hf.pdf pdf_icon

AP9980GM

AP9980GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9980 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve the lowe

 7.2. Size:218K  ape
 ap9980gj.pdf pdf_icon

AP9980GM

AP9980GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80VD Single Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Performance ID 21.3AGSDescriptionGDSAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the TO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9977GJ-HF , AP9977GM , AP9978AGP-HF , AP9978GP , AP9979GH-HF , AP9979GJ , AP9980GH , AP9980GJ , IRFP250N , AP9985GM , AP9987GH-HF , AP9987GJ-HF , AP9987GM , AP9990GH-HF , AP9990GIF-HF , AP9990GMT-HF , AP9990GP-HF .

History: PB5G2JU | 2N5199 | CS6769 | DMG8880LK3 | AF5N60S | ZXM62P02E6 | IPD144N06NG

 

 
Back to Top

 


 
.