AP9987GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9987GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9987GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9987GM даташит

 ..1. Size:208K  ape
 ap9987gm.pdf pdf_icon

AP9987GM

AP9987GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 80V D2 D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 90m D1 D1 Surface Mount Package ID 3.5A G2 S2 G1 S1 SO-8 Description D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 designer with the best combination of fast switching, ruggedized device d

 7.1. Size:198K  ape
 ap9987gj.pdf pdf_icon

AP9987GM

AP9987GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9987 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D S process technology to achieve the lowe

 7.2. Size:97K  ape
 ap9987gh-hf ap9987gj-hf.pdf pdf_icon

AP9987GM

AP9987GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9987 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D S process technology to achieve the lowe

 7.3. Size:97K  ape
 ap9987gh j-hf.pdf pdf_icon

AP9987GM

AP9987GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Single Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D S Advanced Power MOSFETs from APEC provide the TO-252(H) designer with the best combination of fast switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9979GH-HF, AP9979GJ, AP9980GH, AP9980GJ, AP9980GM, AP9985GM, AP9987GH-HF, AP9987GJ-HF, 7N65, AP9990GH-HF, AP9990GIF-HF, AP9990GMT-HF, AP9990GP-HF, AP9990GR-HF, AP9992AGI-HF, AP9992AGP-HF, AP9992GI-HF