AP9997GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9997GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 95 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9997GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9997GM даташит

 ..1. Size:182K  ape
 ap9997gm.pdf pdf_icon

AP9997GM

AP9997GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 95V D2 D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 110m D1 D1 Surface Mount Package ID 3A G2 S2 G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switching, rugge

 7.1. Size:97K  ape
 ap9997gh-hf ap9997gj-hf.pdf pdf_icon

AP9997GM

AP9997GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 120m Fast Switching Characteristic ID 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the S TO-252(H) designer with the best combination of fast

 7.2. Size:94K  ape
 ap9997gk-hf.pdf pdf_icon

AP9997GM

AP9997GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Lower Gate Charge RDS(ON) 120m S Fast Switching Characteristic ID 3.2A D Halogen Free & RoHS Compliant Product SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 7.3. Size:94K  ape
 ap9997gk.pdf pdf_icon

AP9997GM

AP9997GK RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Lower Gate Charge RDS(ON) 120m Fast Switching Characteristic ID 3.2A S D SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G low on-resistance and co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9995GH-HF, AP9995GJ-HF, AP9997AGH-HF, AP9997BGH-HF, AP9997BGJ-HF, AP9997GH-HF, AP9997GJ-HF, AP9997GK, 12N60, AP9997GP-HF, AP9998GH-HF, AP9998GS-HF, AP99T03GP-HF, AP99T03GS-HF, AP99T06AGI-HF, AP99T06AGP-HF, AP99T06GP-HF