AP9998GH-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9998GH-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AP9998GH-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9998GH-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap9998gh-hf.pdf pdf_icon

AP9998GH-HF

AP9998GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 44A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast sw

 7.1. Size:58K  ape
 ap9998gi-hf.pdf pdf_icon

AP9998GH-HF

AP9998GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 44A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9998 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 7.2. Size:59K  ape
 ap9998gs-hf.pdf pdf_icon

AP9998GH-HF

AP9998GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 44A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 9.1. Size:54K  ape
 ap9995gh j-hf.pdf pdf_icon

AP9998GH-HF

AP9995GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 90V Lower Gate Chage RDS(ON) 240m Fast Switching Characteristic ID 7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9997AGH-HF, AP9997BGH-HF, AP9997BGJ-HF, AP9997GH-HF, AP9997GJ-HF, AP9997GK, AP9997GM, AP9997GP-HF, IRF1010E, AP9998GS-HF, AP99T03GP-HF, AP99T03GS-HF, AP99T06AGI-HF, AP99T06AGP-HF, AP99T06GP-HF, AP9T15GH, AP9T15GJ