FRL9130H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRL9130H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 124 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для FRL9130H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRL9130H даташит

 7.1. Size:53K  intersil
 frl9130.pdf pdf_icon

FRL9130H

FRL9130D, FRL9130R, FRL9130H 5A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 5A, -100V, RDS(on) = 0.550 TO-205AF Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

Другие IGBT... FRL230R4, FRL234D, FRL234H, FRL234R, FRL430D, FRL430H, FRL430R, FRL9130D, AO4407A, FRL9130R, FRL9230D, FRL9230H, FRL9230R, FRM130D, FRM130H, FRM130R, FRM140D