FRL9130H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRL9130H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 124 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO205AF
FRL9130H Datasheet (PDF)
frl9130.pdf
FRL9130D, FRL9130R,FRL9130H5A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 5A, -100V, RDS(on) = 0.550TO-205AF Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S
Другие MOSFET... FRL230R4 , FRL234D , FRL234H , FRL234R , FRL430D , FRL430H , FRL430R , FRL9130D , NCEP15T14 , FRL9130R , FRL9230D , FRL9230H , FRL9230R , FRM130D , FRM130H , FRM130R , FRM140D .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918