AP9T16GJ - описание и поиск аналогов

 

AP9T16GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9T16GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9T16GJ

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9T16GJ даташит

 ..1. Size:262K  ape
ap9t16gh ap9t16gj.pdfpdf_icon

AP9T16GJ

AP9T16GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Single Drive Requirement ID 25A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) S ruggedized device design, ultr

 8.1. Size:60K  ape
ap9t16agh-hf.pdfpdf_icon

AP9T16GJ

AP9T16AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 19.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D S TO-252(H) best combination of fas

 8.2. Size:186K  ape
ap9t16agh.pdfpdf_icon

AP9T16GJ

AP9T16AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 19.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP9T16A series are from Advanced Power inn

 9.1. Size:98K  ape
ap9t18gh-hf.pdfpdf_icon

AP9T16GJ

AP9T18GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 38A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9T18 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

Другие MOSFET... AP99T03GS-HF , AP99T06AGI-HF , AP99T06AGP-HF , AP99T06GP-HF , AP9T15GH , AP9T15GJ , AP9T16AGH-HF , AP9T16GH , BS170 , AP9T18GEH , AP9T18GEJ , AP9T18GH , AP9T18GJ , AP9T19GJ , APA2N70K-HF , APS04N60H-HF , IRF830I-HF .

History: FDG8850NZ | AP9T19GJ

 

 

 


 
↑ Back to Top
.