FRL9130R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRL9130R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 124 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO205AF
Аналог (замена) для FRL9130R
FRL9130R Datasheet (PDF)
frl9130.pdf

FRL9130D, FRL9130R,FRL9130H5A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 5A, -100V, RDS(on) = 0.550TO-205AF Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S
Другие MOSFET... FRL234D , FRL234H , FRL234R , FRL430D , FRL430H , FRL430R , FRL9130D , FRL9130H , IRFB7545 , FRL9230D , FRL9230H , FRL9230R , FRM130D , FRM130H , FRM130R , FRM140D , FRM140H .
History: NP80N03CDE
History: NP80N03CDE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor