AP9T19GJ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9T19GJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для AP9T19GJ
AP9T19GJ даташит
ap9t19gj.pdf
AP9T19GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 12V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 16m Single Drive Requirement ID 33A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combinat
ap9t18gh-hf.pdf
AP9T18GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 38A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9T18 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po
ap9t18geh ap9t18gej.pdf
AP9T18GEH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D G-S Diode embedded BVDSS 20V G Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Surface mount package ID 40A RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) rugg
ap9t16agh-hf.pdf
AP9T16AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 19.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D S TO-252(H) best combination of fas
Другие MOSFET... AP9T15GJ , AP9T16AGH-HF , AP9T16GH , AP9T16GJ , AP9T18GEH , AP9T18GEJ , AP9T18GH , AP9T18GJ , 10N65 , APA2N70K-HF , APS04N60H-HF , IRF830I-HF , IRF840I , 2SK3467 , 2SK3505 , 2SK3451-01MR , 2SK3326 .
History: FDG8850NZ
History: FDG8850NZ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent









