AP9T19GJ - описание и поиск аналогов

 

AP9T19GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9T19GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AP9T19GJ

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9T19GJ даташит

 ..1. Size:71K  ape
ap9t19gj.pdfpdf_icon

AP9T19GJ

AP9T19GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 12V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 16m Single Drive Requirement ID 33A G S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combinat

 9.1. Size:98K  ape
ap9t18gh-hf.pdfpdf_icon

AP9T19GJ

AP9T18GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID 38A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9T18 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 9.2. Size:126K  ape
ap9t18geh ap9t18gej.pdfpdf_icon

AP9T19GJ

AP9T18GEH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D G-S Diode embedded BVDSS 20V G Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Surface mount package ID 40A RoHS Compliant S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) rugg

 9.3. Size:60K  ape
ap9t16agh-hf.pdfpdf_icon

AP9T19GJ

AP9T16AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 19.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D S TO-252(H) best combination of fas

Другие MOSFET... AP9T15GJ , AP9T16AGH-HF , AP9T16GH , AP9T16GJ , AP9T18GEH , AP9T18GEJ , AP9T18GH , AP9T18GJ , 10N65 , APA2N70K-HF , APS04N60H-HF , IRF830I-HF , IRF840I , 2SK3467 , 2SK3505 , 2SK3451-01MR , 2SK3326 .

History: FDG8850NZ

 

 

 


 
↑ Back to Top
.