APA2N70K-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APA2N70K-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для APA2N70K-HF
APA2N70K-HF Datasheet (PDF)
apa2n70k.pdf
APA2N70KRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10S Simple Drive Requirement ID 0.35ADGSOT-223DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,low on-resistance and cost
Другие MOSFET... AP9T16AGH-HF , AP9T16GH , AP9T16GJ , AP9T18GEH , AP9T18GEJ , AP9T18GH , AP9T18GJ , AP9T19GJ , 10N65 , APS04N60H-HF , IRF830I-HF , IRF840I , 2SK3467 , 2SK3505 , 2SK3451-01MR , 2SK3326 , 2SK4101LS .
History: 2SK3326 | 2SK3467
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P20AP | AGM30P18S | AGM30P18E | AGM30P16S | AGM30P16D | AGM30P16AP | AGM30P14MBP | AGM30P12M | AGM30P12D | AGM30P110D | AGM30P110A | AGM30P10SR | AGM30P10S | AGM30P10K | AGM30P10AP | AGM25N15C
Popular searches
2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626


