2N6659-SM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6659-SM

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220SM

Аналог (замена) для 2N6659-SM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6659-SM даташит

 7.1. Size:89K  vishay
 2n6659-2.pdf pdf_icon

2N6659-SM

2N6659, 2N6659-2 www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Military Qualified VDS (V) 35 Low On-Resistence 1.3 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold 1.7 V Configuration Single Low Input Capacitance 35 pF Fast Switching Speed 8 ns Low Input and Output Leakage TO-205AD BENEFITS (TO-39) Guarant

 8.1. Size:71K  semelab
 2n6659x.pdf pdf_icon

2N6659-SM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25 C Drain Current 1.4A ID TC = 100 C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25 C Power Dissipation 6.25W

 8.2. Size:18K  semelab
 2n6659.pdf pdf_icon

2N6659-SM

2N6659 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 8.89 (0.35) ENHANCEMENT MODE 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) MOS TRANSISTOR 4.19 (0.165) 4.95 (0.195) 0.89 max. FEATURES (0.035) 12.70 (0.500) 7.75 (0.305) min. 8.51 (0.335) Switching Regulators dia. Converters 5.08 (0.200) typ. Motor Drivers 2.54 2 (0.100) 1 3 0.66 (0.026) 1.14 (0.045

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N5484, 2N5485, 2N5486, 2N6656, 2N6657, 2N6658, 2N6659, 2N6659-LCC4, 10N60, 2N6660, 2N6660JAN, 2N6660JANTX, 2N6660JANTXV, 2N6660-LCC4, 2N6660-SM, 2N6661, 2N6661-220M