Справочник MOSFET. 2N3823

 

2N3823 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N3823

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 7.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.01 A

Максимальная температура канала (Tj): 200 °C

Тип корпуса: TO-72 TO-206AF

Аналог (замена) для 2N3823

 

 

2N3823 Datasheet (PDF)

0.1. 2n3821 2n3822 2n3823.pdf Size:54K _microsemi

2N3823
2N3823

TECHNICAL DATA N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE Qualified per MIL-PRF-19500/375 Devices Qualified Level JANTX 2N3821 2N3822 2N3823 JANTXV MAXIMUM RATINGS 2N3821 Parameters / Test Conditions Symbol 2N3822 2N3823 Unit Gate-Source Voltage VGSR 50 30 V Drain-Source Voltage V 50 30 V DSDrain-Gate Voltage V 50 30 V DGGate Current I 10 mA GF TO-72* Power Dissipatio

9.1. 2n3820.pdf Size:26K _fairchild_semi

2N3823
2N3823

2N3820P-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 89.TO-9211. Drain 2. Gate 3. SourceEpitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage -20 VVG

9.2. 2n3821 2n3822 2n3824.pdf Size:88K _central

2N3823
2N3823

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. 2n3828.pdf Size:77K _secos

2N3823

2N3828 0.1 A, 40 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES General Purpose Amplifier TransistorTO-92 G H Emitter Base CollectorJA DCollectorBMillimeterREF. Min. Max.A 4.40 4.70KB 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81E 0

9.4. 2n3821 2n3822.pdf Size:94K _interfet

2N3823

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-301/99 B-32N3821, 2N3822N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C VHF AmplifiersReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Small Signal AmplifiersContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mWPower Derating 2mW/CAt 25C free air temperat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top