2N4351. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4351

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm

Тип корпуса: TO-72

Аналог (замена) для 2N4351

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N4351 даташит

 ..1. Size:217K  linear-systems
 2n4351.pdf pdf_icon

2N4351

2N4351 N-CHANNEL MOSFET Linear Integrated Systems ENHANCEMENT MODE FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 HIGH DRAIN CURRENT ID = 100mA TO-72 HIGH GAIN gfs = 1000 S BOTTOM VIEW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 @ 25 C (unless otherwise stated) G 2 3 D Maximum Temperatures Storage Temperature -65 to +200 C Operating Junction Temperature -55 to +150 C 1 4 S

 9.1. Size:18K  calogic
 2n4352.pdf pdf_icon

2N4351

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch CORPORATION 2N4352 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Low ON Resistance Low Capacitance Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V High Gain Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V P-Chann

Другие IGBT... 2N4221A, 2N4222A, 2N4223, 2N4224, 2N4338, 2N4339, 2N4340, 2N4341, IRLB3034, 2N4352, 2N4856A, 2N4857A, 2N4858A, 2N4856, 2N4857, 2N4858, 2N4859