2N5517 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5517

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 3.8 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.0075 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Тип корпуса: TO-71

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .