2N5517 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N5517
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-71
Аналог (замена) для 2N5517
2N5517 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2N5457 , 2N5458 , 2N5459 , 2N5460 , 2N5461 , 2N5462 , 2N5515 , 2N5516 , IRF1010E , 2N5518 , 2N5519 , 2N5520 , 2N5521 , 2N5522 , 2N5523 , 2N5524 , 2N5545 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTP330N06D | JMTP3010D | JMTP3008A | JMTP260N03D | JMTP250P03A | JMTP240N03D | JMTP240C03D | JMTP230C04D | JMTP170N06D | JMTP170N06A | JMTP170C04D | JMTP160P03D | JMTP130P04A | JMTP130N04A | JMTP120C03D | JMTL3134KT7
Popular searches
c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor