2N5517 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 2N5517
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-71
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам