2N5517 - описание и поиск аналогов

2N5517. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5517

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-71

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам