Справочник MOSFET. 2N5517

 

2N5517 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5517

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 3.8 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.0075 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Тип корпуса: TO-71

Аналог (замена) для 2N5517

 

 

2N5517 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5515 2n5516 2n5517 2n5518 2n5519 2n5520 2n5521 2n5522 2n5523 2n5524.pdf Size:72K _intersil

2N5517
2N5517

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 

Back to Top

 


2N5517
  2N5517
  2N5517
  2N5517
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: QS8M51 | QS8M13 | QS8M11 | QS8K21 | QS8K2 | QS8K13 | QS8K11 | QS8J5 | QS8J4 | QS8J2 | QS8J13 | QS8J12 | QS8J11 | QS8F2 | QS6U24 |
 

 

 

 
Back to Top