2N5517 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5517  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 3.8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0075 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-71

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N5517

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5517 даташит

 ..1. Size:72K  intersil
 2n5515 2n5516 2n5517 2n5518 2n5519 2n5520 2n5521 2n5522 2n5523 2n5524.pdf pdf_icon

2N5517

Другие IGBT... 2N5457, 2N5458, 2N5459, 2N5460, 2N5461, 2N5462, 2N5515, 2N5516, IRF9540N, 2N5518, 2N5519, 2N5520, 2N5521, 2N5522, 2N5523, 2N5524, 2N5545