2N5517 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5517

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 3.8 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.0075 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Тип корпуса: TO-71

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .