Справочник MOSFET. 2N5518

 

2N5518 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5518

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 3.8 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.0075 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Тип корпуса: TO-71

Аналог (замена) для 2N5518

 

 

2N5518 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5515 2n5516 2n5517 2n5518 2n5519 2n5520 2n5521 2n5522 2n5523 2n5524.pdf Size:72K _intersil

2N5518
2N5518

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top