FRM244D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM244D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 258 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM244D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM244D даташит

 8.1. Size:47K  intersil
 frm244.pdf pdf_icon

FRM244D

FRM244D, FRM244R, FRM244H 12A, 250V, 0.400 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 12A, 250V, RDS(on) = 0.400 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

 9.1. Size:53K  intersil
 frm240.pdf pdf_icon

FRM244D

 9.2. Size:229K  inchange semiconductor
 frm240.pdf pdf_icon

FRM244D

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor FRM240 FEATURES 16A, 200V, RDS(on) = 0.24 Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION It is specially designed and processed to exhibit minimal characteristic changes to total dose and neutron exposures

Другие IGBT... FRM230H, FRM230R, FRM234D, FRM234H, FRM234R, FRM240D, FRM240H, FRM240R, IRFP260N, FRM244H, FRM244R, FRM430D, FRM430H, FRM430R, FRM440D, FRM440H, FRM440R