BST100 - аналоги и даташиты транзистора

 

BST100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BST100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для BST100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BST100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  philips
 bst100.pdf pdf_icon

BST100

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBST100P-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement mode verticalBST100D-MOS transistorDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAP-channel vertical D-MOS transistorDrain-source voltage -VDS max. 60 VT

Другие MOSFET... 2N6804 , 2N6806 , 2N7091 , 2N7288D , 2N7288R , 2N7288H , BF246B , BF247A , IRFZ46N , BST70A , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S .

 

 
Back to Top

 


 
.