BST100 - описание и поиск аналогов

 

BST100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BST100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для BST100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BST100 даташит

 ..1. Size:67K  philips
 bst100.pdf pdf_icon

BST100

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BST100 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode vertical BST100 D-MOS transistor DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA P-channel vertical D-MOS transistor Drain-source voltage -VDS max. 60 V T

Другие MOSFET... 2N6804 , 2N6806 , 2N7091 , 2N7288D , 2N7288R , 2N7288H , BF246B , BF247A , IRFB31N20D , BST70A , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S .

History: FS16SM-5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.