FRM440H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM440H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM440H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM440H даташит

 8.1. Size:47K  intersil
 frm440.pdf pdf_icon

FRM440H

FRM440D, FRM440R, FRM440H 6A, 500V, 1.40 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 6A, 500V, RDS(on) = 1.40 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRM240R, FRM244D, FRM244H, FRM244R, FRM430D, FRM430H, FRM430R, FRM440D, 2N7000, FRM440R, FRM450D, FRM450H, FRM450R, FRM9130D, FRM9130H, FRM9130R, FRM9140D