Справочник MOSFET. FRM440H

 

FRM440H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRM440H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO204AA
 

 Аналог (замена) для FRM440H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM440H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:47K  intersil
 frm440.pdf pdf_icon

FRM440H

FRM440D, FRM440R,FRM440H6A, 500V, 1.40 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 6A, 500V, RDS(on) = 1.40TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRM240R , FRM244D , FRM244H , FRM244R , FRM430D , FRM430H , FRM430R , FRM440D , IRF9540 , FRM440R , FRM450D , FRM450H , FRM450R , FRM9130D , FRM9130H , FRM9130R , FRM9140D .

History: APT10M07JVR | FRM9130D | FDA24N40F | FCPF7N60

 

 
Back to Top

 


 
.