MMBF4416A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMBF4416A
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5.5 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.015 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Тип корпуса: SOT-23
MMBF4416A Datasheet (PDF)
mmbf4416a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
March 2005MMBF4416AN-Channel RF Amplifier This device is designed for RF amplifiers. Sourced from process 50.GSSOT-23DMark: 6BGAbsolute Maximum Ratings* Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 35 VVGS Gate-Source Voltage -35 VIGF Forward Gate Current 10 mATJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range - 5
mmbf4416lt1rev0d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF4416LT1/DJFETMMBF4416LT1VHF/UHF Amplifier TransistorNChannelMotorola Preferred Device2 SOURCE3GATE31 DRAIN1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 10DrainSource Voltage VDS 30 VdcSOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDG 30 VdcGateSource Voltage VGS 30 Vdc
mmbf4416.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
April 2009MMBF4416N-Channel RF Amplifiers This device is designed for RF amplifiers.G Sourced from process 50.SSOT-23DMark: 6AAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward Gate Current 10 mATJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 C
mmbf4416lt1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMBF4416LT1Preferred Device JFET VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Package is Available2 SOURCEMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitGATEDrain-Source Voltage VDS 30 VdcDrain-Gate Voltage VDG 30 Vdc1 DRAINGate-Source Voltage VGS 30 VdcGate Current IG 10 mAdcTHERMAL CHARACTERISTICS3SOT-23 (TO-236)Characteristic Sym
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .