Справочник MOSFET. MMBF5484

 

MMBF5484 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMBF5484
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.005 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMBF5484 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  fairchild semi
2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.pdfpdf_icon

MMBF5484

February 20092N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 Rev. 1.0.0 1 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 2 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 3 2007

 ..2. Size:754K  fairchild semi
2n5484 mmbf5484.pdfpdf_icon

MMBF5484

2N5484 MMBF54842N5485 MMBF54852N5486 MMBF5486GSG TO-92SSOT-23 DDMark: 6B / 6M / 6HNOTE: Source & Drain are interchangeableN-Channel RF AmplifierThis device is designed primarily for electronic switchingapplications such as low On Resistance analog switching.Sourced from Process 50.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value

 0.1. Size:294K  motorola
mmbf5484lt1rev0d.pdfpdf_icon

MMBF5484

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF5484LT1/DJFET TransistorNChannelMMBF5484LT12 SOURCEMotorola Preferred Device3GATE1 DRAIN3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12DrainGate Voltage VDG 25 VdcReverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VdcCASE 31808, STYLE 10Forward Gate Current IG(f) 10 mAdcSOT23 (TO236AB)Contin

 0.2. Size:148K  onsemi
mmbf5484lt1.pdfpdf_icon

MMBF5484

MMBF5484LT1Preferred Device JFET TransistorN-ChannelFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGS2 SOURCERating Symbol Value UnitDrain-Gate Voltage VDG 25 Vdc3GATEReverse Gate-Source Voltage VGS(r) 25 VdcForward Gate Current IG(f) 10 mAdcContinuous Device Dissipation at or Below PD1 DRAINTC = 25C 200 mWLinear Derating Factor 2.8 m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPW60R250CP | AO6804A | NCEP039N10MD | UF640L-TF2-T | WMJ38N60C2 | 2SJ113 | SSM9410GM

 

 
Back to Top

 


 
.