MMBF5485 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMBF5485
Маркировка: 6M
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.01 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 2 pf
Тип корпуса: SOT-23
MMBF5485 Datasheet (PDF)
2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
February 20092N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 Rev. 1.0.0 1 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 2 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 3 2007
mmbf5484lt1rev0d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF5484LT1/DJFET TransistorNChannelMMBF5484LT12 SOURCEMotorola Preferred Device3GATE1 DRAIN3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12DrainGate Voltage VDG 25 VdcReverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VdcCASE 31808, STYLE 10Forward Gate Current IG(f) 10 mAdcSOT23 (TO236AB)Contin
2n5484 mmbf5484.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2N5484 MMBF54842N5485 MMBF54852N5486 MMBF5486GSG TO-92SSOT-23 DDMark: 6B / 6M / 6HNOTE: Source & Drain are interchangeableN-Channel RF AmplifierThis device is designed primarily for electronic switchingapplications such as low On Resistance analog switching.Sourced from Process 50.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value
mmbf5484lt1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMBF5484LT1Preferred Device JFET TransistorN-ChannelFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGS2 SOURCERating Symbol Value UnitDrain-Gate Voltage VDG 25 Vdc3GATEReverse Gate-Source Voltage VGS(r) 25 VdcForward Gate Current IG(f) 10 mAdcContinuous Device Dissipation at or Below PD1 DRAINTC = 25C 200 mWLinear Derating Factor 2.8 m
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .