MMBF5486. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMBF5486
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MMBF5486
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MMBF5486 даташит
2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.pdf
February 2009 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 Rev. 1.0.0 1 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 2 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 3 2007
mmbf5484lt1rev0d.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF5484LT1/D JFET Transistor N Channel MMBF5484LT1 2 SOURCE Motorola Preferred Device 3 GATE 1 DRAIN 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Drain Gate Voltage VDG 25 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGS(r) 25 Vdc CASE 318 08, STYLE 10 Forward Gate Current IG(f) 10 mAdc SOT 23 (TO 236AB) Contin
2n5484 mmbf5484.pdf
2N5484 MMBF5484 2N5485 MMBF5485 2N5486 MMBF5486 G S G TO-92 S SOT-23 D D Mark 6B / 6M / 6H NOTE Source & Drain are interchangeable N-Channel RF Amplifier This device is designed primarily for electronic switching applications such as low On Resistance analog switching. Sourced from Process 50. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value
mmbf5484lt1.pdf
MMBF5484LT1 Preferred Device JFET Transistor N-Channel Features Pb-Free Package is Available http //onsemi.com MAXIMUM RATINGS 2 SOURCE Rating Symbol Value Unit Drain-Gate Voltage VDG 25 Vdc 3 GATE Reverse Gate-Source Voltage VGS(r) 25 Vdc Forward Gate Current IG(f) 10 mAdc Continuous Device Dissipation at or Below PD 1 DRAIN TC = 25 C 200 mW Linear Derating Factor 2.8 m
Другие MOSFET... MMBF5457 , MMBF5458 , MMBF5459 , MMBF5460 , MMBF5461 , MMBF5462 , MMBF5484 , MMBF5485 , AON7410 , MMBFJ270 , MMBFJ271 , J309 , MMBFJ309 , MMBFJ310 , MPF102 , P1086 , P1087 .
History: IRF3415LPBF
History: IRF3415LPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet




