Справочник MOSFET. FRM450H

 

FRM450H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRM450H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 260 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO204AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM450H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:47K  intersil
 frm450.pdf pdf_icon

FRM450H

FRM450D, FRM450R,FRM450H10A, 500V, 0.600 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 10A, 500V, RDS(on) = 0.600TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRM244R , FRM430D , FRM430H , FRM430R , FRM440D , FRM440H , FRM440R , FRM450D , IRFP250N , FRM450R , FRM9130D , FRM9130H , FRM9130R , FRM9140D , FRM9140H , FRM9140R , FRM9230D .

History: AP2328GN | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK2424 | CM20N50P | 2SK4108 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.