FRM450H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM450H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM450H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM450H даташит

 8.1. Size:47K  intersil
 frm450.pdf pdf_icon

FRM450H

FRM450D, FRM450R, FRM450H 10A, 500V, 0.600 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 10A, 500V, RDS(on) = 0.600 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRM244R, FRM430D, FRM430H, FRM430R, FRM440D, FRM440H, FRM440R, FRM450D, 7N65, FRM450R, FRM9130D, FRM9130H, FRM9130R, FRM9140D, FRM9140H, FRM9140R, FRM9230D