STP9NB50 - описание и поиск аналогов

 

STP9NB50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP9NB50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для STP9NB50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9NB50 даташит

 ..1. Size:356K  st
 stp9nb50.pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB50 STP9NB50FP N-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP9NB50 500 V

 0.1. Size:363K  st
 stp9nb50-fp.pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB50 STP9NB50FP N-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP9NB50 500 V

 8.1. Size:352K  st
 stp9nb60-fp.pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB60 STP9NB60FP N - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP9NB60 600 V

 8.2. Size:345K  st
 stp9nb60-fp .pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB60 STP9NB60FP N - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP9NB60 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... J309 , MMBFJ309 , MMBFJ310 , MPF102 , P1086 , P1087 , STP11NB40 , STP11NB40FP , IRFP450 , STP9NB50FP , PF5102 , PF5103 , PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.