Справочник MOSFET. STP9NB50

 

STP9NB50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP9NB50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для STP9NB50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9NB50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  st
 stp9nb50.pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB50STP9NB50FPN-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NB50 500 V

 0.1. Size:363K  st
 stp9nb50-fp.pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB50STP9NB50FPN-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NB50 500 V

 8.1. Size:352K  st
 stp9nb60-fp.pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB60STP9NB60FPN - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP9NB60 600 V

 8.2. Size:345K  st
 stp9nb60-fp .pdf pdf_icon

STP9NB50

STP9NB60STP9NB60FPN - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP9NB60 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... J309 , MMBFJ309 , MMBFJ310 , MPF102 , P1086 , P1087 , STP11NB40 , STP11NB40FP , IRF1407 , STP9NB50FP , PF5102 , PF5103 , PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 .

History: BRCS3134ZK | HFB1N70S | EFC2K107NUZ | FS16SM-6 | BLS70R180-W | P0780ATFS | AP65SL600AR

 

 
Back to Top

 


 
.