PF5102 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PF5102
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-92
PF5102 Datasheet (PDF)
pf5102.pdf
PF5102N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabized amplifiers. Sourced from process 51. See J111 for characteristics.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Gate-Source Voltage -40
pf5103.pdf
October 2006PF5103tmN-Channel SwitchFeatures This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 51. TO-92 Marking : PF51031 2 3 1. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Ga
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918