PF5102 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PF5102
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.625 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 1.6 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Тип корпуса: TO-92
PF5102 Datasheet (PDF)
pf5102.pdf
PF5102N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabized amplifiers. Sourced from process 51. See J111 for characteristics.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Gate-Source Voltage -40
pf5103.pdf
October 2006PF5103tmN-Channel SwitchFeatures This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 51. TO-92 Marking : PF51031 2 3 1. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Ga
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
