PF5102 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PF5102
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для PF5102
PF5102 Datasheet (PDF)
pf5102.pdf

PF5102N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabized amplifiers. Sourced from process 51. See J111 for characteristics.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Gate-Source Voltage -40
pf5103.pdf

October 2006PF5103tmN-Channel SwitchFeatures This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 51. TO-92 Marking : PF51031 2 3 1. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Ga
Другие MOSFET... MMBFJ310 , MPF102 , P1086 , P1087 , STP11NB40 , STP11NB40FP , STP9NB50 , STP9NB50FP , P60NF06 , PF5103 , PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 , PN5434 , TIS73 .
History: 2SK2371 | HM30N04D | HY1310D | RFP15N08L | SM3095PSD | IRFBA90N20D | WSD30L40DN
History: 2SK2371 | HM30N04D | HY1310D | RFP15N08L | SM3095PSD | IRFBA90N20D | WSD30L40DN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404