Справочник MOSFET. SMK0965F

 

SMK0965F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMK0965F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SMK0965F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMK0965F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  auk
smk0965f.pdfpdf_icon

SMK0965F

SMK0965F Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage : BV =650V(Min.) DSS Low C : C =16pF(Typ.) rss rss Low gate charge : Qg=35nC(Typ.) Low R : R =0.85(Max.) DS(on) DS(on)G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SMK0965F SMK0965 TO-220F-3L Marking Diagram AUK = Manufacture Logo

 0.1. Size:408K  auk
smk0965fj.pdfpdf_icon

SMK0965F

SMK0965FJAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=650V(Min.) D Low Crss : Crss=16pF(Typ.) Low gate charge : Qg=35nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=0.85(Max.) G Ordering Information G Type No. Marking Package Code D S S TO-220F-3L SMK0965FJ SMK0965TO-220F-3L (J Forming) Ma

 0.2. Size:472K  auk
smk0965fc.pdfpdf_icon

SMK0965F

SMK0965FCAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=650V(Min.) D Low Crss : Crss=16pF(Typ.) Low gate charge : Qg=35nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=0.85(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S TO-220F-3L SMK0965FC SMK0965TO-220F-3L (C Forming) Marki

 9.1. Size:574K  auk
smk0990ci.pdfpdf_icon

SMK0965F

SMK0990CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BV =900V (Min.) DSS Low gate charge: Q =52nC (Typ.) g Low drain-source On resistance: R =1.4 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-3P Part Number Marking Package SMK0990CI SMK0990 TO-3P

Другие MOSFET... SMK0825D2 , SMK0825F , SMK0825FC , SMK0825FZ , SMK0850F , SMK0860P , SMK0870F , SMK0870FJ , 10N60 , SMK0965FC , SMK0965FJ , SMK0990CI , SMK0990FD , SMK1060D2 , SMK1060F , SMK1060FJ , SMK1060P .

History: WVM7N12 | H9926TS

 

 
Back to Top

 


 
.