Справочник MOSFET. SUN0465I2

 

SUN0465I2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN0465I2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для SUN0465I2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN0465I2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  auk
 sun0465i2.pdf pdf_icon

SUN0465I2

SUN0465I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0465I2 SUN0465 I2-PA

 7.1. Size:516K  auk
 sun0465f.pdf pdf_icon

SUN0465I2

SUN0465F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0465F SUN0465 TO-

 8.1. Size:444K  auk
 sun0460d.pdf pdf_icon

SUN0465I2

SUN0460D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0460D SUN0460 TO

 8.2. Size:516K  auk
 sun0460f.pdf pdf_icon

SUN0465I2

SUN0460F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0460F SUN0460 TO-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D , SUN0460F , SUN0460I2 , SUN0465F , AO3401 , SUN0550D , SUN0550F , SUN0760F , SUN0760I2 , SUN0765F , SUN0765I2 , SUN1060F , SUN1060I2 .

History: MTDNK2N6 | IPI040N06N3G | NCE15P25 | WMB025N06HG4 | WTX1012 | WTK9431 | STB14NK60Z-1

 

 
Back to Top

 


 
.