SUN0550D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUN0550D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-252
SUN0550D Datasheet (PDF)
sun0550d.pdf
SUN0550D Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.23 (Typ.) Low gate charge: Qg=10.5nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=2pF (Typ.) Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252
sun0550f.pdf
SUN0550F Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=1.23 (Typ.) Low gate charge: Qg=10.5nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=2pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0550F SUN0550 TO-220F
sun05a25f.pdf
SUN05A25F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =0.92 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =6nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =5pF (Typ.) rss RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN05A25F SU
sun05a50zd.pdf
SUN05A50ZD New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.23 (Typ.) DS(on)D Low gate charge: Q =17.5nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =5pF (Typ.) rss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SUN05A50ZD
sun05a50zf.pdf
SUN05A50ZF New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.23 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =17.5nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =5pF (Typ.) rss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN05A50ZF
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918