SUN1060I2 - описание и поиск аналогов

 

SUN1060I2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUN1060I2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для SUN1060I2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN1060I2 даташит

 ..1. Size:473K  auk
 sun1060i2.pdf pdf_icon

SUN1060I2

SUN1060I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN1060I2 SUN1060 I2-PA

 7.1. Size:570K  auk
 sun1060f.pdf pdf_icon

SUN1060I2

SUN1060F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN1060F SUN1060 TO

Другие MOSFET... SUN0465I2 , SUN0550D , SUN0550F , SUN0760F , SUN0760I2 , SUN0765F , SUN0765I2 , SUN1060F , IRFZ46N , 2N7002B , 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.