SUN1060I2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUN1060I2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 154 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: I2-PAK
SUN1060I2 Datasheet (PDF)
sun1060i2.pdf
SUN1060I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge: Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN1060I2 SUN1060 I2-PA
sun1060f.pdf
SUN1060F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge: Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN1060F SUN1060 TO
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STI30N65M5
