Справочник MOSFET. SUN1060I2

 

SUN1060I2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN1060I2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для SUN1060I2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN1060I2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  auk
 sun1060i2.pdf pdf_icon

SUN1060I2

SUN1060I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge: Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN1060I2 SUN1060 I2-PA

 7.1. Size:570K  auk
 sun1060f.pdf pdf_icon

SUN1060I2

SUN1060F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge: Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN1060F SUN1060 TO

Другие MOSFET... SUN0465I2 , SUN0550D , SUN0550F , SUN0760F , SUN0760I2 , SUN0765F , SUN0765I2 , SUN1060F , STP65NF06 , 2N7002B , 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D .

 

 
Back to Top

 


 
.