10N65K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 10N65K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-262 TO-220F TO-220F1

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 10N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

10N65K даташит

 ..1. Size:227K  utc
 10n65k.pdf pdf_icon

10N65K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N65K Power MOSFET 10A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N65K is an N-channel Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and superior switching performance, etc. The UTC 10N65K is generally applied in high efficient DC to DC converters, PWM motor controls and bridge cir

 0.1. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

10N65K

 0.2. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stf10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

10N65K

 0.3. Size:215K  utc
 10n65kl-ta3-t 10n65kg-ta3-t 10n65kl-tf1-t 10n65kg-tf1-t 10n65kl-tf2-t 10n65kg-tf2-t.pdf pdf_icon

10N65K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N65K-MTQ Power MOSFET 10A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N65K-MTQ is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 7N65A, 7N65, 7N65Z, 7N65K, 8N65, 9N65, 10N65, 10N65Z, 10N65, 15N65, 18N65, 20N65, 22N65, 1N65A, 1N65, 2N65, 2N65L