Справочник MOSFET. 2N60

 

2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-262 TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F TO-126 DFN-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  utc
2n60.pdfpdf_icon

2N60

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N60 Power MOSFET 2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

 ..2. Size:2632K  umw-ic
2n60.pdfpdf_icon

2N60

RUMWUMW 2N60UMW 2N60N- MOSN- MOSN- MOSN- MOS Tc=25CTc=25CTc=25CTc=25CAbsolute Maximum Ratings Tc=25CAbsolute Maximum Ratings Tc=25CAbsolute Maximum Ratings Tc=25C TO-220/220F/251T/252/223Absolute Maximum RatingsTc=25C PARAMETER SYMBOL VALUE UNITPARAMETER SYMBOL VALUE

 ..3. Size:243K  inchange semiconductor
2n60 .pdfpdf_icon

2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSO

 ..4. Size:230K  inchange semiconductor
2n60.pdfpdf_icon

2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSO

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: EMB04N03H

 

 
Back to Top

 


 
.