3N60K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3N60K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO-252 TO-220F
3N60K Datasheet (PDF)
3n60k.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N60K Power MOSFET 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N60K is a high voltage and high current power MOSFET , designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching
swf13n60k2 swi13n60k2 swd13n60k2.pdf
SW13N60K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F TO-251 TO-252 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
