3N60K - описание и поиск аналогов

 

3N60K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N60K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-220F

Аналог (замена) для 3N60K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N60K даташит

 ..1. Size:377K  utc
 3n60k.pdf pdf_icon

3N60K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N60K Power MOSFET 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N60K is a high voltage and high current power MOSFET , designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching

 0.1. Size:878K  samwin
 swf13n60k2 swi13n60k2 swd13n60k2.pdf pdf_icon

3N60K

SW13N60K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET BVDSS 600V Features TO-220F TO-251 TO-252 ID 13A High ruggedness RDS(ON) 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3

Другие MOSFET... 1N60P , 1N60Z , 2N60L , 2N60 , 2N60K , 3N60 , 3N60A , 3N60Z , IRF1404 , 4N60 , 4N60Z , 4N60K , 8N50H , 9N50 , 10N50 , 11N50 , 12N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.