Справочник MOSFET. 4N60Z

 

4N60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 4N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для 4N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  utc
4n60z.pdfpdf_icon

4N60Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N60Z Power MOSFET 4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N60Z is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching 1time, low gate charge, low on-state resistance and have a high TO-220Frugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching

 0.1. Size:291K  1
ndf04n60z ndd04n60z.pdfpdf_icon

4N60Z

NDF04N60Z, NDD04N60ZPower MOSFET, N-Channel, 600 V, 2.0 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargewww.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS (@ TJmax) RDS(on) (MAX) @ 2 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant650 V2.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelParam

 0.2. Size:148K  1
ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdfpdf_icon

4N60Z

NDF04N60Z, NDP04N60Z,NDD04N60ZN-Channel Power MOSFET1.8 W, 600 VoltsFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (TYP) @ 2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant600 V1.8 Applications Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts4ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 0.3. Size:136K  onsemi
ndf04n60z ndd04n60z.pdfpdf_icon

4N60Z

NDF04N60Z, NDD04N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 2.0 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargewww.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS (@ TJmax) RDS(on) (MAX) @ 2 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant650 V2.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelParamete

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.