UF460 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UF460 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для UF460
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
UF460 даташит
uf460.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF460 Power MOSFET 21 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UF460 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch, in PWM applications, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and high energy pulse cir
buf460.pdf
BUF460AV NPN TRANSISTOR POWER MODULE EASY TO DRIVE TECHNOLOGY (ETD) HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW Rth JUNCTION CASE SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE APPLICATIONS MOTOR CONTROL SMPS & UPS ISOTOP WELDING EQUIPMENT INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Paramete
buf460av.pdf
BUF460AV NPN TRANSISTOR POWER MODULE EASY TO DRIVE TECHNOLOGY (ETD) HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE APPLICATIONS MOTOR CONTROL SMPS & UPS ISOTOP WELDING EQUIPMENT INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM
uf460l-t3p-t uf460g-t3p-t uf460l-t47-t uf460g-t47-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF460 Power MOSFET 21A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UF460 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch, in PWM applications, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.
Другие IGBT... 18N50, 24N50, 26N50, UF830, UF830Z, UF840, UK3568, UF450, IRF9540N, 1N50, 1N50Z, 2N50, 3N50, 3N50Z, 4N50, 5N50, 5N50K
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362




