Справочник MOSFET. 50N06

 

50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-263 TO-251 TO-252 TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  utc
50n06.pdfpdf_icon

50N06

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 50N06 Power MOSFET 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 11 DESCRIPTION TO-263 TO-251The UTC 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. 11It is mainly suitable electronic

 ..2. Size:2133K  shenzhen
50n06.pdfpdf_icon

50N06

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd 50N06 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS For fast switching converters and sync. rectificationR 15mDS(on),max SMDversion N-channel enhancement - normal levelI 50 AD 175 C operating temperature Avalanche rated Pb-free lead plating, RoHS compliant50N06Type 50N062113 23

 ..3. Size:2391K  goford
50n06.pdfpdf_icon

50N06

GOFORD50N06Description Features VDSS RDS(ON) IDVDSS RDS(ON) ID @ (typ)@10V (typ)10V 19m 50A60V 60V 19m 50A Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Application UPS High efficiency switch mode power supplies Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-

 ..4. Size:1133K  cn wxdh
50n06 f50n06 i50n06 e50n06 b50n06 d50n06.pdfpdf_icon

50N06

50N06/F50N06/I50N06/E50N06/B50N06/D50N0660A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 60AD2 Features Low on resistance Low ga

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 12N60 | IRFP460 | 7N65

 

 
Back to Top

 


 
.