UT2327. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT2327

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для UT2327

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT2327 даташит

 ..1. Size:166K  utc
 ut2327.pdf pdf_icon

UT2327

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2327 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT2327L is P-channel enhancement mode Power MOSFET, designed in serried ranks. with fast switching speed, low on-resistance, favorable stabilization. Used in commercial and industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters.

 9.1. Size:102K  st
 but232.pdf pdf_icon

UT2327

BUT232V NPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROL SMPS & UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERS ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit

 9.2. Size:348K  st
 but232v.pdf pdf_icon

UT2327

BUT232V NPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROL SMPS & UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERS ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol

 9.3. Size:224K  utc
 ut2321.pdf pdf_icon

UT2327

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2321 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT2321 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... UTT80N75, UDN302, UT2301, UT2301Z, UT2305, UT2305A, UT2311, UT2321, IRF530, UT3419, UT6302, 90N02, UK3018, UK3019, UK3919, UML2502, UP9T15G