Справочник MOSFET. UT2327

 

UT2327 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT2327
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для UT2327

 

 

UT2327 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  utc
 ut2327.pdf

UT2327 UT2327

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2327 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT2327L is P-channel enhancement mode Power MOSFET, designed in serried ranks. with fast switching speed, low on-resistance, favorable stabilization. Used in commercial and industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters.

 9.1. Size:102K  st
 but232.pdf

UT2327 UT2327

BUT232VNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROL SMPS & UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERSISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value Unit

 9.2. Size:348K  st
 but232v.pdf

UT2327 UT2327

BUT232VNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROL SMPS & UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERSISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

 9.3. Size:224K  utc
 ut2321.pdf

UT2327 UT2327

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2321 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UT2321 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top