Справочник MOSFET. FRS9130D

 

FRS9130D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRS9130D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 176 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.565 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для FRS9130D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRS9130D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:55K  intersil
 frs9130.pdf pdf_icon

FRS9130D

FRS9130D, FRS9130R,FRS9130H6A, -100V, 0.565 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.565TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

 9.1. Size:54K  intersil
 frs9140.pdf pdf_icon

FRS9130D

FRS9140D, FRS9140R,FRS9140H11A, -100V, 0.315 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.315TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRS244H , FRS244R , FRS430D , FRS430H , FRS430R , FRS440D , FRS440H , FRS440R , IRFZ46N , FRS9130H , FRS9130R , FRS9140D , FRS9140H , FRS9140R , FRS9230D , FRS9230H , FRS9230R .

History: FQD9N25TMF085 | SP8076 | FQH44N10

 

 
Back to Top

 


 
.