UT4414. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT4414

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для UT4414

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4414 даташит

 ..1. Size:119K  utc
 ut4414.pdf pdf_icon

UT4414

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4414 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UT4414 is an N-channel enhancement mode FET with excellent trench technology to provide customers perfect RDS(ON) and low gate charge. The source leads are separated to allow a Kelvin SOP-8 connection to the source, which may be used to bypas

 9.1. Size:191K  utc
 ut4413.pdf pdf_icon

UT4414

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4413 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=8.5m @ VGS= -10V * Low capacitance * Low gate charge *

 9.2. Size:218K  utc
 ut4410.pdf pdf_icon

UT4414

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4410 Power MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET DESCRIPTION As advanced N-channel logic level enhancement MOSFET, the UT4410 is produced using UTC s high cell density, DMOS trench technology. which has been specially tailored to minimize the on-resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. These devices can be

 9.3. Size:262K  utc
 ut4411.pdf pdf_icon

UT4414

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4411 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 32m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate char

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... UT3055, UT3400, UT3404, UT3406, UT3414, UT3416, UT3418, UT3N01Z, IRFZ24N, UT45N03, UT4800, UT50N03, UT6402, UT75N02, UT8205A, UTD351, UTD410