UTD413. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTD413

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UTD413

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD413 даташит

 ..1. Size:209K  utc
 utd413.pdf pdf_icon

UTD413

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD413 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD413 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using UTC s advanced trench technology. The UTD413 is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance of the TO-252 package. Standard Product UTD413 is Pb-free. FEATURES * RD

 9.1. Size:258K  utc
 utd410.pdf pdf_icon

UTD413

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD410 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 1 DESCRIPTION SOT-223 The UTD410 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. This UTD410 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES 1 * VDS=30V, ID=8A TO-252 * RDS(ON) =48m @VGS =10V SYMBOL ORDERING INFORMATI

Другие IGBT... UTT4425, UTT4815, UTT60P03, BSS84Z, UT30P04, UT3P06, UT5504, UT9564, IRFB4115, UTT15P06, UTT18P06, UTT20P04, UTT25P06, UTT30P04, UTT30P06, UTT40P04, UTT50P04