UK1398 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UK1398
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
Тип корпуса: TO-92 SOT-223
Аналог (замена) для UK1398
UK1398 Datasheet (PDF)
uk1398.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UK1398 Power MOSFET N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING 1 DESCRIPTION TO-92 The UTC UK1398 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate 3voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES 12* RDS(ON)
buk139-50dl.pdf

Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK139-50DL D-PAK version of BUK118-50DLDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAMonolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIToverload protected logic level powerMOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 Vassembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 16 Aplastic package. PD
Другие MOSFET... UTT30P04 , UTT30P06 , UTT40P04 , UTT50P04 , UTT50P06 , UTT65P04 , UD4809 , UF1404 , 2N7000 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , UT108N03 , UT110N03 , UT120N03 .
History: RCJ510N25 | BUK6C2R1-55C | TPC8063-H
History: RCJ510N25 | BUK6C2R1-55C | TPC8063-H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147