UK1398 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UK1398  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: TO-92 SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для UK1398

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UK1398 даташит

 ..1. Size:203K  utc
 uk1398.pdf pdf_icon

UK1398

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UK1398 Power MOSFET N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING 1 DESCRIPTION TO-92 The UTC UK1398 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate 3 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES 1 2 * RDS(ON)

 9.1. Size:34K  philips
 buk139-50dl.pdf pdf_icon

UK1398

Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK139-50DL D-PAK version of BUK118-50DL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 16 A plastic package. PD

Другие IGBT... UTT30P04, UTT30P06, UTT40P04, UTT50P04, UTT50P06, UTT65P04, UD4809, UF1404, IRF4905, UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03