UT108N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UT108N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-251 TO-252
Аналог (замена) для UT108N03
UT108N03 Datasheet (PDF)
ut108n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT108N03 Power MOSFET 30V, 108A N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION As advanced N-channel level power MOSFET, the UT108N03 is produced using UTCs advanced trench technology, which has been specially tailored to minimize the on-resistance and maintain low 1gate charge for superior switching performance. TO-251 FEATURES * RDS(
Другие MOSFET... UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , SPP20N60C3 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , UT30N03 .
History: IRFP440R
History: IRFP440R
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent


