UT108N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT108N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UT108N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT108N03 даташит

 ..1. Size:180K  utc
 ut108n03.pdf pdf_icon

UT108N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT108N03 Power MOSFET 30V, 108A N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-252 DESCRIPTION As advanced N-channel level power MOSFET, the UT108N03 is produced using UTC s advanced trench technology, which has been specially tailored to minimize the on-resistance and maintain low 1 gate charge for superior switching performance. TO-251 FEATURES * RDS(

Другие IGBT... UD4809, UF1404, UK1398, UM6K31N, UMBF170, UP672, UT100N03, UT100N03-Q, SPP20N60C3, UT110N03, UT120N03, UT136N03, UT150N04, UT20N03, UT3006, UT3009, UT30N03