Справочник MOSFET. UT108N03

 

UT108N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT108N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 102 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для UT108N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT108N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  utc
 ut108n03.pdf pdf_icon

UT108N03

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT108N03 Power MOSFET 30V, 108A N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION As advanced N-channel level power MOSFET, the UT108N03 is produced using UTCs advanced trench technology, which has been specially tailored to minimize the on-resistance and maintain low 1gate charge for superior switching performance. TO-251 FEATURES * RDS(

Другие MOSFET... UD4809 , UF1404 , UK1398 , UM6K31N , UMBF170 , UP672 , UT100N03 , UT100N03-Q , AON7410 , UT110N03 , UT120N03 , UT136N03 , UT150N04 , UT20N03 , UT3006 , UT3009 , UT30N03 .

History: 2SK4042 | SSM20N03S

 

 
Back to Top

 


 
.