UT3009. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT3009

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для UT3009

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT3009 даташит

 ..1. Size:149K  utc
 ut3009.pdf pdf_icon

UT3009

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3009 Preliminary Power MOSFET 30V, 78A N-CHANNEL FAST SWITCHING POWER MOSFETS DESCRIPTION The UTC UT3009 is an N-channel enhancement power MOSFET using UTC s advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON), low gate charge, ultra high cell density and high switching speed. This UTC UT3009 is suitable for most of the synchr

 9.1. Size:169K  utc
 ut3006.pdf pdf_icon

UT3009

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3006 Power MOSFET 55A, 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3006 is an N-channel enhancement MOSFET using UTC s advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON), cost-effectiveness and high switching speed. This UTC UT3006 is suitable for DC/DC converters, etc. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UT100N03-Q, UT108N03, UT110N03, UT120N03, UT136N03, UT150N04, UT20N03, UT3006, IRF1010E, UT30N03, UT3458, UT3N06, UT40N03, UT40N03T, UT40N04, UT4392, UT4406