UT3009 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UT3009
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
UT3009 Datasheet (PDF)
ut3009.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3009 Preliminary Power MOSFET 30V, 78A N-CHANNEL FAST SWITCHING POWER MOSFETS DESCRIPTION The UTC UT3009 is an N-channel enhancement power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON), low gate charge, ultra high cell density and high switching speed. This UTC UT3009 is suitable for most of the synchr
ut3006.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3006 Power MOSFET 55A, 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3006 is an N-channel enhancement MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with perfect RDS(ON), cost-effectiveness and high switching speed. This UTC UT3006 is suitable for DC/DC converters, etc. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SWP30N06
History: SWP30N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet