UT3N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UT3N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.13 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO-251 TO-252 SOT-23 SOT-89
UT3N06 Datasheet (PDF)
ut3n06.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N06 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. FEATURES * Simple drive requirement SYMBOL DrainGate
ut3n06g-ab3-r ut3n06g-ae3-r ut3n06l-tm3-t ut3n06g-tm3-t ut3n06l-tn3-r ut3n06g-tn3-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N06 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. FEATURES * Simple drive requirement SYMBOL DrainGate
ut3n06g-ae3.pdf
UT3N06G-AE3www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)
ut3n01z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N01Z Power MOSFET N-CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS DESCRIPTION The UT3N01Z uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This devices general purpose is for switching device applications. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
