UTD484. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTD484

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0121 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UTD484

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD484 даташит

 ..1. Size:307K  utc
 utd484.pdf pdf_icon

UTD484

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD484 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The UTD484 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 15m @VGS = 10 V * Low capac

Другие IGBT... UT75N03, UT85N03, UT90N03, UT9971P, UTD408, UTD420, UTD436, UTD454, STF13NM60N, UTF1404, UTL1426, UTM3023, UTT100N05, UTT108N03, UTT120N04, UTT150N03, UTT200N03