UT4812Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UT4812Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для UT4812Z
UT4812Z Datasheet (PDF)
ut4812z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4812Z Power MOSFET 30V, 6.9A DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT4812Z can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. The UTC UT4812Z is suitable for using as a load switch or in PWMapplications. FEATURES * Low RDS(ON) * Reliable and Rugged * Halogen Free SYMBOL ORDERIN
ut4812.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4812 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4812 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. The UT4812 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES * 30V/6.9A * Low RDS(ON) * Reliable and Rugged SYMBOL (7) (8) (5) (6)Lead-free: UT481
Другие MOSFET... 10NN15 , 12NN10 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , UT4812 , IRF540N , UT4822 , UT4957 , UT6898 , UT7317 , UTM4953 , RD00HHS1 , RD00HVS1 , RD01MUS1 .
History: DH045N06D | DH045N06E | IRFNJ540 | VBZM80N06 | VBZM80N10 | VBZM80N04
History: DH045N06D | DH045N06E | IRFNJ540 | VBZM80N06 | VBZM80N10 | VBZM80N04
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772



